To prevent silicon from agglomerating
→ should cool the solid quickly
Rapid cooling
→ large thermal gradient in crystal
Postulate K=20W/m K
Diameter of wafer: 10-20 cm
L (latent heat of fusion) = 340 cal/g
Temperature gradient in silicon CZ (dT/dx) : 100°C/cm
mobile phase로 이용되는 gas로, 유해하면 안 되기 때문에 inert하며, sample과 반응하면 안되기 때문에 unreactive하다. 대표적으로 He, Ar 같은 비활성기체나 H2, N2 등의 비극성 경량 기체가 많이 이용되며, TCD를 사용하는 경우는 thermalconductivity를 고려하여 좀 더 엄밀한 기준 하에 carrier gas를 고르게 된다.
1. Pump에서의 Cavitation (공동현상) 에 대하여 기술하고 이로 생길 수 있는 문제점과 그 방지책에 대해 논하시오
- Cavitation이란
유체가 넓은 유로에서 좁을 곳으로 고속 유입하거나 벽면의 요철, 만곡부 등으로 흐름이 직선적이지 못할 때 유체는 저압이 되고 포화증기압보다 낮아지면 기화되어 기포가
CAVITY
일정한 속도의 액체가 면적이 작은 부위(수축부 Vena Contracta)를 지날 때 유체의 속도(V)는 빨라지고 압력(P)은 떨어진다, 이때 액체압력이 그 액체의 증기압(Pv)보다 낮아지면 기포가 발생 Vapor 상태가 되는데 이것을 Cavity라 한다. 이 기포는 다시 압력이 상승함에 따라서 밸브Trim 이나 Body 내벽에서
(9)
식 (8)과 (9)은 2성분 혼합물 확산에 대한 Fick의 제 1법칙을 설명한 것이다. 이 법칙은 다음 3가지 사항에 기초된 것임을 유의해야 한다.
1. 플럭스는 몰/면적-시간으로 표시된다.
2. 확산속도는 부피평균 속도에 상대적인 것이다.
3. 구동력은 몰농도 항(단위부피당 성분 A의 몰수)으로 표시된다.
1. Cleaning
- For elimination particle
2. Deposition
- Formation some material layer on the substrate
3. Photolithography
- Formation some pattern
4. Etching
- Elimination substrate or PR layer
Material to be evaporated is heated to
increase vapor pressure
In a reasonably high vacuum, material
atoms fly to a target and stick onto the
surface
Source materi
■이 론
열전도도 [熱傳導度, thermalconductivity]
-열의 전달 정도를 나타내는 물질에 관한 상수.
한 지점에서 다른 지점으로 열은 다음과 같은 3가지 방법(전도, 대류, 복사)으로 전달된다. 이때 물체를 통하여 전달되는 열의 양은 다음 식으로 나타낼 수 있다.
ex) 얼음 1g은 80cal의 열에 녹으므로 물체를
4. GC 검출기의 종류
◆ 열전도도 검출기(ThermalConductivity Detector, TCD)
● 원리: 이것은 초기의 기체 크로마토그래피의 검출기이며 아직도 널리 사용되고 있다. 이 검출기는 기체 흐름의 열전도도 변화를 이용하는 것이다.
● 특징: 온도조절을 특히 엄밀히 요한다. 이 검출기는 간단하고 경고하며